STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 906-4668
- メーカー型番:
- STB100N6F7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は5個
￥304.80
(税抜)
￥335.28
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥304.80 | ￥1,524.00 |
| 50 - 470 | ￥296.00 | ￥1,480.00 |
| 475 - 595 | ￥239.20 | ￥1,196.00 |
| 600 - 795 | ￥211.00 | ￥1,055.00 |
| 800 + | ￥182.60 | ￥913.00 |
* 購入単位ごとの価格
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- 906-4668
- メーカー型番:
- STB100N6F7
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- STMicroelectronics
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詳細情報
NチャンネルSTripFET™ F7シリーズ、STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 100 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | STripFET F7 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 5.6 MΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大パワー消費 | 125 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
| 長さ | 10.4mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 幅 | 9.35mm |
| 高さ | 4.6mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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