Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 195 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
165-8288
メーカー型番:
IRFS4115TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

195A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

375W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

77nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

11.3 mm

高さ

4.83mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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