Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 195 A パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥172,102.40

(税抜)

￥189,312.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 800￥215.128￥172,102
1600 - 7200￥213.69￥170,952
8000 - 11200￥212.263￥169,810
12000 - 15200￥210.834￥168,667
16000 +￥209.386￥167,509

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
257-9437
メーカー型番:
IRFS7530TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

195A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

274nC

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRFSシリーズは、D2 Pakパッケージに収められた60 VシングルnチャンネルHEXFETパワーモスフェットです。

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

10 Vゲートドライブ電圧(標準レベルと呼ばれる)に最適化

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

前世代のシリコンよりもボディのソフトなダイオード

業界標準の表面実装パワーパッケージ

ウェーブはんだ付け可能

関連ページ