Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 20 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRFI540NPBF
- RS品番:
- 166-1055
- メーカー型番:
- IRFI540NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 500 - 1200 | ￥95.72 | ￥4,786 |
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- RS品番:
- 166-1055
- メーカー型番:
- IRFI540NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 52mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 54W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 94nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 8.9mm | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 長さ | 10.63mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 52mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 54W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 94nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 8.9mm | ||
幅 4.83 mm | ||
長さ 10.63mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流20A、最大電力損失54W - IRFI540NPBF
このMOSFETは、エレクトロニクス産業における高性能アプリケーション向けに開発され、電力管理において重要な役割を果たすとともに、電子信号のスイッチングと増幅に信頼性の高いソリューションを提供します。大きな電圧と電流の負荷を管理することができ、最新の電子機器の効率を保証する。
特徴と利点
• 最大20Aの連続ドレイン電流定格
• 定格電圧100Vの耐久性
• 低いゲートしきい値電圧がスイッチング効率を高める
• 耐久性に優れた最大54Wの高電力放散能力
• 様々なアプリケーションに対応するNチャンネル・エンハンスメント・モード設計
• ドレイン・ソース間抵抗が52mΩと低く、エネルギー損失を最小化
用途
• 電子回路用電源に使用
• 車載電源管理システムに適用可能
• モーター制御システムに活用し、効率を高める
• 再生可能エネルギーシステムにおける電力変換に重要
• 効果的な制御プロセスのための自動機械に採用
この装置の最大連続定格電流は？
このデバイスは最大連続ドレイン電流20Aをサポートし、様々なアプリケーションに対応する。
ゲートしきい値電圧は性能にどのように影響しますか？
ゲートしきい値電圧は2Vから4Vの範囲で、より低い制御電圧での効率的なスイッチングを容易にし、性能を向上させる。
この装置は高温環境でも作動しますか？
また、+175℃の高温でも機能するため、厳しい条件下でも性能を発揮する。
最適なパフォーマンスを得るために推奨される特定のマウントタイプはありますか？
スルーホール実装に適しており、さまざまな用途で確実な接続と効果的な熱管理を可能にする。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。