Infineon MOSFET, Nチャンネル, 36 A, スルーホール, 3 ピン, IRL540NPBF

InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

このMOSFETは、大電流と高電圧のアプリケーションを効果的に処理するように設計された、高性能回路に不可欠な部品です。最大100Vのドレイン・ソース間電圧で動作するため、オートメーションや電子システムの厳しい環境に適している。その強力な性能と信頼性の高い動作は、さまざまな電気システム全体の効率を高めます。

• 要求の厳しいアプリケーションに対応する36Aの連続ドレイン電流能力
• 44mΩの低Rds(on)で動作中の電力損失を最小化
• エンハンスメント・モード設計によりスイッチング特性を改善し、効率を向上
• 最大140Wの電力損失定格で高性能シナリオに対応
• 動作温度範囲は-55°C～+175°Cで多用途に使用可能
• スルーホールマウントにより、既存システムへの統合が容易

• 産業オートメーションシステムにおける電源管理
• ロボット工学における電気モーター制御
• 再生可能エネルギーシステムにおけるDC-DCコンバータ
• 効率的なスイッチング機能を必要とする電源
• 効果的な配電のための家電製品

最大ドレイン・ソース間電圧は100Vで、連続ドレイン電流は36Aである。

Rds(on)が44mΩと低いため、電力損失が最小限に抑えられ、効率が向上し、熱負荷が軽減される。

このモードでは、動作の制御性が向上し、効率的なスイッチングとアプリケーションの多様性が可能になる。

はい、-55℃から+175℃の温度で効果的に動作し、過酷な条件に適しています。

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。