onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 166-1704
- メーカー型番:
- FDD86250
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥126.72 | ￥316,800 |
| 5000 - 22500 | ￥125.896 | ￥314,740 |
| 25000 - 35000 | ￥125.074 | ￥312,685 |
| 37500 - 47500 | ￥124.242 | ￥310,605 |
| 50000 + | ￥123.419 | ￥308,548 |
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- RS品番:
- 166-1704
- メーカー型番:
- FDD86250
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 45mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 132W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 45mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 132W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.22 mm | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.39mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
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