2 onsemi MOSFET 分離式, タイプN, タイプNチャンネル, 5.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, FDS6930B パッケージSOIC
- RS品番:
- 166-1789
- メーカー型番:
- FDS6930B
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 166-1789
- メーカー型番:
- FDS6930B
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 62mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 62mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.8nC | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET
ON Semis PowerTrench® MOSFETは、最適化されたパワースイッチングにより、システム効率と電力密度を向上させます。小さなゲート電荷、小さな逆回復、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせて、AC / DC電源の同期整流の高速スイッチングに貢献します。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオード性能により、スナバ回路を排除したり、高電圧定格MOSFETを交換したりできます。
MOSFETトランジスタ、ONセミ
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ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。
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