2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 7 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, FDS8984 パッケージSOIC
- RS品番:
- 671-0753
- メーカー型番:
- FDS8984
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥136.40 | ￥682 |
| 125 - 1195 | ￥119.60 | ￥598 |
| 1200 - 1595 | ￥102.60 | ￥513 |
| 1600 - 1995 | ￥85.80 | ￥429 |
| 2000 + | ￥67.60 | ￥338 |
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- RS品番:
- 671-0753
- メーカー型番:
- FDS8984
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 23mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 1.6W | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 23mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.2nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 1.6W | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
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