onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23
- RS品番:
- 166-1833
- メーカー型番:
- FDN359AN
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥27.262 | ￥81,786 |
| 15000 - 27000 | ￥26.988 | ￥80,964 |
| 30000 - 72000 | ￥26.44 | ￥79,320 |
| 75000 - 147000 | ￥25.924 | ￥77,772 |
| 150000 + | ￥25.408 | ￥76,224 |
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- RS品番:
- 166-1833
- メーカー型番:
- FDN359AN
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.94mm | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2.92mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.94mm | ||
幅 1.4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2.92mm | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
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