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    ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET800 V 5.8 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

    取扱終了
    RS品番:
    166-2537
    メーカー型番:
    FQB6N80TM
    メーカー/ブランド名:
    onsemi

    COO(原産国):
    MY
    特性
    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流5.8 A
    最大ドレイン-ソース間電圧800 V
    パッケージタイプD2PAK (TO-263)
    実装タイプ表面実装
    ピン数3
    最大ドレイン-ソース間抵抗1.95 Ω
    チャンネルモードエンハンスメント型
    最低ゲートしきい値電圧3V
    最大パワー消費3.13 W
    トランジスタ構成シングル
    最大ゲート-ソース間電圧-30 V, +30 V
    長さ10.67mm
    トランジスタ素材Si
    9.65mm
    1チップ当たりのエレメント数1
    動作温度 Max+150 °C
    標準ゲートチャージ @ Vgs31 nC @ 10 V
    シリーズQFET
    動作温度 Min-55 °C
    高さ4.83mm

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