onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 300 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, FDB28N30TM

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥663.00

(税抜)

￥729.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 980 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 38￥331.50￥663
40 - 378￥290.50￥581
380 - 498￥248.50￥497
500 - 638￥206.50￥413
640 +￥167.00￥334

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
759-8970
メーカー型番:
FDB28N30TM
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

28A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

300V

シリーズ

UniFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

129mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.4V

最大許容損失Pd

250W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

動作温度 Max

150°C

高さ

4.83mm

幅

11.33 mm

長さ

10.67mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

UniFET™ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II™ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。

UniFET™ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ