onsemi MOSFET, タイプN, タイプN, タイプP, タイプPチャンネル, 分離式, 40 V, 6.2 A, 63 mΩ, 20 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 166-2595
- メーカー型番:
- FDS4897C
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- 166-2595
- メーカー型番:
- FDS4897C
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- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 40 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 6.2 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 63 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 20 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 700 mV | |
| 高さ | 1.5 mm | |
| 長さ | 5 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 2 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 幅 | 4 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 40 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 6.2 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 63 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 20 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 700 mV | ||
高さ 1.5 mm | ||
長さ 5 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 2 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
幅 4 mm | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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