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PowerTrench® MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷（Qg）、低逆回復電荷（Qrr）、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。

最新のPowerTrench® MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度なテクノロジーを活用することで、これらのデバイスのFOM (Figure of Merit)は、前世代よりも大幅に低くなっています。

PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。

2 onsemi MOSFET 分離式, タイプN, タイプN, タイプP, タイプPチャンネル, 6.2 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, FDS4897C パッケージSOIC

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