2 onsemi MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 6.4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, FDS8958B パッケージSOIC
- RS品番:
- 806-3674
- メーカー型番:
- FDS8958B
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 806-3674
- メーカー型番:
- FDS8958B
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 80mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±25 V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.575mm | |
| 幅 | 3.9 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±25 V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 4.9mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.575mm | ||
幅 3.9 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
PowerTrench®デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。
最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
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