onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 35 V, 55 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS Stock No.:
- 166-2644
- Mfr. Part No.:
- FDD6637
- Brand:
- onsemi
Bulk discount available
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
¥248,200.00
(exc. VAT)
¥273,025.00
(inc. VAT)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 2,500 は 2026年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥99.28 | ¥248,200 |
| 5000 - 22500 | ¥96.90 | ¥242,250 |
| 25000 - 35000 | ¥94.52 | ¥236,300 |
| 37500 - 47500 | ¥92.14 | ¥230,350 |
| 50000 + | ¥89.761 | ¥224,403 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 166-2644
- Mfr. Part No.:
- FDD6637
- Brand:
- onsemi
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 35V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 19mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 45nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 35V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 19mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.22 mm | ||
高さ 2.39mm | ||
自動車規格 なし | ||
自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
Related links
- onsemi MOSFET 55 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, FDD6637
- onsemi MOSFET 58 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252
- onsemi MOSFET 94 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252
- onsemi MOSFET 36 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, FDD86102
- onsemi MOSFET 50 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, FDD86540
- onsemi MOSFET 6.7 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252
- onsemi MOSFET 57 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252
- onsemi MOSFET 8 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252
