1 onsemi MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 9 A, 表面実装 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, FDS6692A パッケージSOIC
- RS品番:
- 166-2832
- メーカー型番:
- FDS6692A
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 166-2832
- メーカー型番:
- FDS6692A
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.47W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 幅 | 3.9 mm | |
| 高さ | 1.575mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.47W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
長さ 4.9mm | ||
幅 3.9 mm | ||
高さ 1.575mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
MOSFETトランジスタ、ONセミ
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ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。