onsemi MOSFET, Nチャンネル, 6.9 A、8.2 A, 表面実装, 8 ピン, FDS6900AS
- RS品番:
- 671-0643
- メーカー型番:
- FDS6900AS
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 25 + | ￥224.00 | ￥1,120 |
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- RS品番:
- 671-0643
- メーカー型番:
- FDS6900AS
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 6.9 A、8.2 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench, SyncFET | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 22 mΩ, 27 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V | |
| 最大パワー消費 | 2000 mW | |
| トランジスタ構成 | シリーズ | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 幅 | 3.99mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 10 nC @ 10 V、11 nC @ 10 V | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 6.9 A、8.2 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
シリーズ PowerTrench, SyncFET | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 22 mΩ, 27 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 1V | ||
最大パワー消費 2000 mW | ||
トランジスタ構成 シリーズ | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
幅 3.99mm | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
トランジスタ素材 Si | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 10 nC @ 10 V、11 nC @ 10 V | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 1.5mm | ||
- COO（原産国）:
- MY
PowerTrench® SyncFET™デュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor
電力変換の損失を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています
超低RDS(on)向けの高性能トレンチ技術
SyncFET™は、効率的なショットキーボディダイオードによる利点を装備
用途: 同期整流DC-DCコンバータ、モータドライブ、ネットワーキングPoint of Load、ローサイドスイッチ
超低RDS(on)向けの高性能トレンチ技術
SyncFET™は、効率的なショットキーボディダイオードによる利点を装備
用途: 同期整流DC-DCコンバータ、モータドライブ、ネットワーキングPoint of Load、ローサイドスイッチ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。