2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4.7 A, 表面 80 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 166-2865
- メーカー型番:
- FDS3890
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥127.137 | ￥317,843 |
| 5000 - 22500 | ￥125.004 | ￥312,510 |
| 25000 - 35000 | ￥122.871 | ￥307,178 |
| 37500 - 47500 | ￥120.737 | ￥301,843 |
| 50000 + | ￥118.604 | ￥296,510 |
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- RS品番:
- 166-2865
- メーカー型番:
- FDS3890
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 82mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.74V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.9 mm | |
| 高さ | 1.575mm | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 82mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
順方向電圧 Vf 0.74V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.9 mm | ||
高さ 1.575mm | ||
長さ 4.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。