2 onsemi MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 6 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 166-3248
- メーカー型番:
- FDS6975
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥111.503 | ￥278,758 |
| 5000 - 22500 | ￥109.269 | ￥273,173 |
| 25000 - 35000 | ￥107.091 | ￥267,728 |
| 37500 - 47500 | ￥104.946 | ￥262,365 |
| 50000 + | ￥102.845 | ￥257,113 |
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- RS品番:
- 166-3248
- メーカー型番:
- FDS6975
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 32mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -0.73V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 32mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -0.73V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.5nC | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
PowerTrench® MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷（Qg）、低逆回復電荷（Qrr）、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。
最新のPowerTrench® MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM（性能指数）は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。