2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 7 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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RS品番:
166-2448
メーカー型番:
FDS8984
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

23mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.2nC

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

1.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

長さ

5mm

幅

4 mm

高さ

1.5mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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