onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
166-3429
メーカー型番:
FDD18N20LZ
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

UniFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

130mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

最大許容損失Pd

89W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.4V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

幅

6.22 mm

高さ

2.39mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

UniFET™ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II™ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。

UniFET™ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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