IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

RS品番:: 168-4731
メーカー型番:: IXFH50N60P3
メーカー/ブランド名:: IXYS

IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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個	単価	1チューブあたりの価格*
30 - 120	￥1,099.20	￥32,976
150 - 270	￥1,088.067	￥32,642
300 - 720	￥1,066.633	￥31,999
750 - 1470	￥1,045.10	￥31,353
1500 +	￥1,024.40	￥30,732

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RS品番:: 168-4731
メーカー型番:: IXFH50N60P3
メーカー/ブランド名:: IXYS

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	IXYS
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	シリーズ	HiperFET, Q3-Class
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	145mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	最大許容損失Pd	1.04kW
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	94nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.4V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	21.46mm
	長さ	16.26mm
	幅	5.3 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド IXYS
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	シリーズ HiperFET, Q3-Class
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 145mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	最大許容損失Pd 1.04kW
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 94nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.4V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 21.46mm
	長さ 16.26mm
	幅 5.3 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

COO（原産国）:: US

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ

IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。

高速真性整流器

低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)

低真性ゲート抵抗

産業用の標準パッケージ

低パッケージインダクタンス

高電力密度

MOSFETトランジスタ、IXYS

IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 50 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ

MOSFETトランジスタ、IXYS

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