IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 30 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- RS品番:
- 920-0965
- メーカー型番:
- IXFH30N50Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価： 購入単位は30個
￥1,432.80
(税抜)
￥1,576.08
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥1,432.80 | ￥42,984.00 |
| 150 - 270 | ￥1,404.133 | ￥42,123.99 |
| 300 - 720 | ￥1,376.00 | ￥41,280.00 |
| 750 - 1470 | ￥1,348.533 | ￥40,455.99 |
| 1500 + | ￥1,321.533 | ￥39,645.99 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 920-0965
- メーカー型番:
- IXFH30N50Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
- COO（原産国）:
- US
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 30 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
| シリーズ | HiperFET, Q-Class |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 200 MΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 6.5V |
| 最大パワー消費 | 690 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| 長さ | 16.26mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 5.3mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 16.26mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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