Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 135 V, 129 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 168-5948
- メーカー型番:
- IRF135S203
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥222.651 | ￥178,121 |
| 1600 - 7200 | ￥222.265 | ￥177,812 |
| 8000 - 11200 | ￥219.645 | ￥175,716 |
| 12000 - 15200 | ￥216.998 | ￥173,598 |
| 16000 + | ￥214.378 | ￥171,502 |
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- RS品番:
- 168-5948
- メーカー型番:
- IRF135S203
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 129A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 135V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 441W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 180nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 9.65mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 129A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 135V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 441W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 180nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 4.83 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 9.65mm | ||
長さ 10.67mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon StrongIRFET™ パワーMOSFET
Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。