Infineon MOSFET, タイプNチャンネル -30 V, -160 A, 表面 パッケージDirectFET
- RS品番:
- 257-9332
- メーカー型番:
- IRF9383MTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 257-9332
- メーカー型番:
- IRF9383MTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -160A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.8mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大許容損失Pd | 113W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 67nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id -160A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大許容損失Pd 113W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 67nC | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFシリーズは、ダイレクトFET mxパッケージに収められた-30 Vシングルpチャンネル強力なIRFETパワーモスフェットです。強力なIRFETパワーmosfetファミリは、低RDS(オン)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化
JEDEC規格に準拠した製品認定
高定格電流
デュアルサイド冷却機能
0.7 mmの低パッケージ高
低寄生(1 → 2 nH)インダクタンスパッケージ
100 %鉛フリー(RoHS免除なし)