Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 293 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
168-6006
メーカー型番:
IRFS3006TRL7PP
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

293A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

200nC

動作温度 Max

175°C

高さ

9.65mm

長さ

10.67mm

規格 / 承認

No

幅

4.83 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V


Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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