Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 522 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥190,000.00

(税抜)

￥209,000.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,800 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 800￥237.50￥190,000
1600 - 7200￥234.921￥187,937
8000 - 11200￥232.335￥185,868
12000 - 15200￥229.74￥183,792
16000 +￥227.163￥181,730

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-5324
メーカー型番:
IRFS7430TRL7PP
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

522A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

750μΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

305nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

幅

9.65 mm

高さ

4.83mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

COO（原産国）:
MX

NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ