STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージH2PAK

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計：*

￥320,000.00

(税抜)

￥352,000.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000￥320.00￥320,000
2000 - 9000￥315.294￥315,294
10000 - 14000￥310.588￥310,588
15000 - 19000￥305.882￥305,882
20000 +￥301.176￥301,176

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
168-8819
メーカー型番:
STH150N10F7-2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

H2PAK

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

117nC

最大許容損失Pd

250W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.4mm

規格 / 承認

No

高さ

4.8mm

幅

10.57 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルSTripFET™ DeepGate™、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ