STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージH2PAK

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥337,500.00

(税抜)

¥371,250.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 1,000 2026年8月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000¥337.50¥337,500
2000 - 9000¥329.268¥329,268
10000 - 14000¥325.301¥325,301
15000 - 19000¥321.429¥321,429
20000 +¥317.647¥317,647

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
168-8819
メーカー型番:
STH150N10F7-2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

DeepGate, STripFET

パッケージ型式

H2PAK

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

117nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

250W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.4mm

高さ

4.8mm

10.57 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

NチャンネルSTripFET™ DeepGate™、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ