STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1500 V, 2.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージH2PAK
- RS品番:
- 103-2012
- メーカー型番:
- STH3N150-2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 103-2012
- メーカー型番:
- STH3N150-2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1500V | |
| パッケージ型式 | H2PAK | |
| シリーズ | MDmesh | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 15.8 mm | |
| 高さ | 4.8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1500V | ||
パッケージ型式 H2PAK | ||
シリーズ MDmesh | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 29.3nC | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 15.8 mm | ||
高さ 4.8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh ™
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
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