Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 500 V, 19 A, 184 mΩ, 46 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247AC

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RS品番:
169-5791
メーカー型番:
SIHG20N50E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-247AC

シリーズ

E

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

184mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46nC

最大ゲートソース電圧Vgs

-30V, +30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

5.31mm

長さ

15.87mm

高さ

20.82mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

VishayシリーズEパワーMOSFET、500Vドレインソース電圧、19A連続ドレイン電流 - SIHG20N50E-GE3


このパワーMOSFETは、電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。従来のアセンブリのスルーホール取り付けに適した堅牢なスイッチング機能を備え、過酷な電子環境で幅広い周囲温度範囲で動作します。

特長:


• 500V ドレイン容量により、高電圧電力段階をサポート
• 19 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷処理が可能
• 179 Wの消費電力により、高出力動作が可能
• 184mΩの最大RDS(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 46nCの標準ゲート電荷により、スイッチング制御エネルギーを低減
• 30Vの最大ゲート定格により、標準的なゲート駆動電圧を実現

用途


• 電源スイッチング用パワーエレクトロニクスMOSFETに最適
• スルーホールTO-247パワートランジスタ500Vアセンブリに最適
• 高電圧インバータおよびモータードライブステージで使用
• 産業用電源およびコンバータに使用可能
• レガシースルーホール修理およびプロトタイプボードに使用

高温環境での使用にはどのような温度制限がありますか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、高温システムでの動作を可能にします。

信頼性の高い取り付けにはどのような取り付け方法が必要ですか?


このデバイスは、TO-247ACパッケージのスルーホール実装を採用し、標準的なウェーブまたは手動はんだ付けプロセスおよびヒートシンク配置に対応しています。

設計時にはどのようなゲートドライブを考慮すべきですか?


最大ゲートソース定格は30Vで、ドライブ回路のサイズ変更時に標準的なゲート電荷量は46nCに対応します。

この部品は、製造に関する材料制限にどのように適合していますか?


RoHS準拠で、環境規制の材料制限要件を満たしています。

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