- RS品番:
- 178-0891
- メーカー型番:
- SIHG70N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価: 購入単位は50個
¥1,376.94
(税抜)
¥1,514.63
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
---|---|---|
50 - 200 | ¥1,376.94 | ¥68,847.00 |
250 - 450 | ¥1,349.40 | ¥67,470.00 |
500 - 1200 | ¥1,322.40 | ¥66,120.00 |
1250 - 2450 | ¥1,295.96 | ¥64,798.00 |
2500 + | ¥1,270.04 | ¥63,502.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 178-0891
- メーカー型番:
- SIHG70N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor
逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減
低性能指数(FOM)
低入力静電容量(Ciss)
低逆回復電荷により堅牢性を向上
超低ゲート電荷(Qg)
低性能指数(FOM)
低入力静電容量(Ciss)
低逆回復電荷により堅牢性を向上
超低ゲート電荷(Qg)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 70 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
パッケージタイプ | TO-247AC |
シリーズ | EF Series |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 38 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
最大パワー消費 | 520 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
幅 | 5.31mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
長さ | 15.87mm |
トランジスタ素材 | Si |
動作温度 Max | +150 °C |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 253 nC @ 10 V |
動作温度 Min | -55 °C |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
高さ | 20.82mm |
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