Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 16.7 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, BUK9Y59-60E,115
- RS品番:
- 170-5446
- メーカー型番:
- BUK9Y59-60E,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 170-5446
- メーカー型番:
- BUK9Y59-60E,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 16.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | BUK9Y59 | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 133mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| 最大許容損失Pd | 37W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4.1 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 16.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ BUK9Y59 | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 133mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.1nC | ||
最大許容損失Pd 37W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.05mm | ||
長さ 5mm | ||
幅 4.1 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- PH
シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。
シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。
定格175 °Cで熱条件の過酷な環境に最適。主なMOSFET用途: 電動パワーステアリング、エンジン管理、内蔵スタータ発電機、トランスミッション制御、車載照明、ブレーキ(ABS)、温度調節
定格175 °Cで熱条件の過酷な環境に最適。主なMOSFET用途: 電動パワーステアリング、エンジン管理、内蔵スタータ発電機、トランスミッション制御、車載照明、ブレーキ(ABS)、温度調節
TrenchMOS技術を採用したロジックレベルNチャンネルMOSFETで、LFPAK56 (Power SO8)パッケージに収められています。この製品は、高性能が求められる車載用途向けに設計されています。
TrenchMOS技術を採用したロジックレベルNチャンネルMOSFETで、LFPAK56 (Power SO8)パッケージに収められています。この製品は、高性能が求められる車載用途向けに設計されています。
反復アバランシェ定格あり
定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適
0.5 V @ 175 °Cを超えるVGS (th)定格の真のロジックレベルゲート
12 V車載システム
モータ、ランプ、及びソレノイド制御
伝送制御
超高性能電源スイッチング
反復アバランシェ定格あり
定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適
0.5 V @ 175 °Cを超えるVGS (th)定格の真のロジックレベルゲート
12 V車載システム
モータ、ランプ、及びソレノイド制御
伝送制御
超高性能電源スイッチング
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