東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 65 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSON, TPN14006NH,L1Q(M

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梱包形態
RS品番:
171-2385
メーカー型番:
TPN14006NH,L1Q(M
メーカー/ブランド名:
Toshiba
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ブランド

Toshiba

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

65A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大許容損失Pd

30W

動作温度 Max

150°C

高さ

0.85mm

長さ

3.1mm

幅

3.1 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

スイッチング電圧レギュレータ

モータドライバ

DC-DCコンバータ

高速スイッチング

小さいゲート電荷量: QSW = 5.5 nC (標準)

低ドレイン-ソース間オン抵抗: RDS (ON) = 11 mΩ (標準)

低漏洩電流: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 60 V)

拡張モード: Vth = 2.0 → 4.0 V (VDS = 10 V、ID = 0.2 mA)

スイッチング電圧レギュレータ

モータドライバ

DC-DCコンバータ

高速スイッチング

小さいゲート電荷量: QSW = 5.5 nC (標準)

低ドレイン-ソース間オン抵抗: RDS (ON) = 11 mΩ (標準)

低漏洩電流: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 60 V)

拡張モード: Vth = 2.0 → 4.0 V (VDS = 10 V、ID = 0.2 mA)

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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