東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 65 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSON
- RS品番:
- 171-2206
- メーカー型番:
- TPN14006NH,L1Q(M
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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￥368,150.00
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ￥73.63 | ￥368,150 |
| 10000 + | ￥67.958 | ￥339,790 |
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- RS品番:
- 171-2206
- メーカー型番:
- TPN14006NH,L1Q(M
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 65A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 41mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 30W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.85mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.1 mm | |
| 長さ | 3.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 65A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 41mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 30W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.85mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.1 mm | ||
長さ 3.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
スイッチング電圧レギュレータ
モータドライバ
DC-DCコンバータ
高速スイッチング
小さいゲート電荷量: QSW = 5.5 nC (標準)
低ドレイン-ソース間オン抵抗: RDS (ON) = 11 mΩ (標準)
低漏洩電流: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 60 V)
拡張モード: Vth = 2.0 → 4.0 V (VDS = 10 V、ID = 0.2 mA)
スイッチング電圧レギュレータ
モータドライバ
DC-DCコンバータ
高速スイッチング
小さいゲート電荷量: QSW = 5.5 nC (標準)
低ドレイン-ソース間オン抵抗: RDS (ON) = 11 mΩ (標準)
低漏洩電流: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 60 V)
拡張モード: Vth = 2.0 → 4.0 V (VDS = 10 V、ID = 0.2 mA)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。