東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 30.8 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージDFN

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RS品番:
171-2421
メーカー型番:
TK31V60W5
メーカー/ブランド名:
Toshiba
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ブランド

Toshiba

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

109mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

105nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

240W

順方向電圧 Vf

-1.7V

動作温度 Max

150°C

長さ

8mm

高さ

0.85mm

8 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO(原産国):
CN
スイッチング電圧レギュレータ

短い逆回復時間: trr = 135 ns (標準)

低いドレイン-ソース間オン抵抗: RDS(ON) = 0.087 Ω(標準)

ゲートスイッチングの制御が容易

拡張モード: Vth = 3 → 4.5 V (VDS = 10 V、ID = 1.5 mA)

スイッチング電圧レギュレータ

短い逆回復時間: trr = 135 ns (標準)

低いドレイン-ソース間オン抵抗: RDS(ON) = 0.087 Ω(標準)

ゲートスイッチングの制御が容易

拡張モード: Vth = 3 → 4.5 V (VDS = 10 V、ID = 1.5 mA)

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