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	ブランドローム
	チャンネルタイプ N, P
	最大連続ドレイン電流 6 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 45 V
	シリーズ SH8M24GZE
	パッケージタイプ SOP
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 92 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V
	最低ゲートしきい値電圧 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V
	最大パワー消費 3.1 W
	最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs 13 nC @ 5 V (Pチャンネル), 6.8 nC @ 5 V (Nチャンネル)
	幅 4.05mm
	動作温度 Max +150 °C
	長さ 5.2mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 1.6mm

複合タイプのMOSFET (P+N)は、幅広い用途に有効なマイクロプロセッシング技術により、低オン抵抗のデバイスとなっています。小型タイプ、高性能タイプ、複合タイプなど、幅広いラインアップにより、市場のさまざまなニーズに対応しています。

4 V駆動タイプ
NchミドルパワーMOSFET
高速スイッチング速度
小型表面実装パッケージ
鉛フリー

ローム MOSFET, N, Pチャンネル, 6 A, 表面実装, 8 ピン, SH8M24GZETB

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