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2 ローム MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 4.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SH8MA2GZETB パッケージSOP

RS Stock No.:: 177-6673
Mfr. Part No.:: SH8MA2GZETB
Brand:: ローム

2 ローム MOSFET デュアル, タイプP, タイプNチャンネル, 4.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SH8MA2GZETB パッケージSOP

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1200 - 1580	￥58.10	￥1,162
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RS Stock No.:: 177-6673
Mfr. Part No.:: SH8MA2GZETB
Brand:: ローム

Specifications

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	ブランド	ローム
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	4.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	SH8MA2
	パッケージ型式	SOP
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	80mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	3nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	2.7W
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	5.2mm
	高さ	1.6mm
	幅	4.05 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	Select all
	ブランドローム
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id 4.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ SH8MA2
	パッケージ型式 SOP
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 2.7W
	順方向電圧 Vf -1.2V
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 5.2mm
	高さ 1.6mm
	幅 4.05 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Datasheet

RoHS Status: Exempt

COO (Country of Origin):: TH

SH8MA2は、スイッチング用途に適した、低オン抵抗のパワーMOSFETです。

低オン抵抗

小型表面実装パッケージ(SOP8)

鉛フリーリードめっき

ハロゲンフリー

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