onsemi MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 59 A, 5.8 mΩ, 20 nC, 4ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 172-3318
- メーカー型番:
- NVD5C464NT4G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 172-3318
- メーカー型番:
- NVD5C464NT4G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 59A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | NVD5C464N | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 40W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 2.25mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 59A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ NVD5C464N | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 40W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 2.25mm | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。
700 V @ TJ = 150 °C
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
超低ゲート電荷量(標準Qg = 259 nC)
低スイッチング損失
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 1972 pF)
低スイッチング損失
優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)
LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
標準RDS(on) = 23 mΩ
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