onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-252, NVD5C464NT4G

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梱包形態
RS品番:
172-3367
メーカー型番:
NVD5C464NT4G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

59A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

NVD5C464N

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

40W

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.25mm

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。

700 V @ TJ = 150 °C

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

超低ゲート電荷量(標準Qg = 259 nC)

低スイッチング損失

低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 1972 pF)

低スイッチング損失

優れたボディダイオード性能(低Qrr、堅牢なボディダイオード)

LLC及び位相ずれフルブリッジ回路で高いシステム信頼性を発揮

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

標準RDS(on) = 23 mΩ

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