2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 111 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C650NLWFT1G パッケージDFN

RS品番:: 172-3345
メーカー型番:: NVMFD5C650NLWFT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 111 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C650NLWFT1G パッケージDFN

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RS品番:: 172-3345
メーカー型番:: NVMFD5C650NLWFT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	111A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	NVMFD5C650NL
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	5.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	16nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.9V
	最大許容損失Pd	125W
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	長さ	6.1mm
	高さ	1.05mm
	幅	5.1 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 111A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ NVMFD5C650NL
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.9V
	最大許容損失Pd 125W
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	長さ 6.1mm
	高さ 1.05mm
	幅 5.1 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。

省スペース(5 x 6 mm)

小型設計

低RDS(on)

導電損失を最小限に抑制

低QG、低静電容量

ドライバ損失を最小限に抑制

NVMFD5C446NLWF - ウェッタブルフランクオプション

光学検査を強化

PPAP対応

用途

ソレノイドドライバ

ローサイド / ハイサイドドライバ

車載用エンジンコントローラ

アンチロックブレーキシステム