2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 74 A, 表面 80 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD6H840NLWFT1G パッケージDFN
- RS品番:
- 195-2671
- メーカー型番:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 75 - 660 | ¥317.60 | ¥4,764 |
| 675 - 885 | ¥278.00 | ¥4,170 |
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- RS品番:
- 195-2671
- メーカー型番:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 74A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大許容損失Pd | 3.1W | |
| 動作温度 Min | 175°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 長さ | 6.1mm | |
| 幅 | 5.1 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 74A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
最大許容損失Pd 3.1W | ||
動作温度 Min 175°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max -55°C | ||
高さ 1.05mm | ||
長さ 6.1mm | ||
幅 5.1 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
3 x 3 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。車載用途に適したMOSFETで、PPAPに対応しています。
省スペース(5 x 6 mm)
小型設計
低RDS(on)
導電損失を最小限に抑制
低QG、低静電容量
ドライバ損失を最小限に抑制
NVMFS5C410NLWF - ウェッタブルフランクオプション
光学検査を強化
PPAP対応
用途
逆バッテリ保護
スイッチング電源
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
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