onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 75 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, FCH023N65S3-F155

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梱包形態
RS品番:
172-4612
メーカー型番:
FCH023N65S3-F155
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

75A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

FCH023N65S3

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

23mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

595W

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

222nC

動作温度 Max

150°C

幅

4.82 mm

高さ

20.82mm

長さ

15.87mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。

SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。

700 V @ TJ = 150 °C

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

超低ゲート電荷量(標準Qg = 78 nC)

低スイッチング損失

低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 715 pF)

低スイッチング損失

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

標準RDS(on) = 62 mΩ

ウェーブはんだ付け保証

コンピューティング

電気通信

産業用

テレコム / サーバー

ソーラーインバータ / UPS

EVC

700 V @ TJ = 150 °C

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

超低ゲート電荷量(標準Qg = 78 nC)

低スイッチング損失

低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 715 pF)

低スイッチング損失

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

標準RDS(on) = 62 mΩ

ウェーブはんだ付け保証

コンピューティング

電気通信

産業用

テレコム / サーバー

ソーラーインバータ / UPS

EVC

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