onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 75 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, FCH023N65S3L4

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥3,999.00

(税抜)

¥4,398.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月30日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 24¥3,999
25 - 214¥3,682
215 - 279¥3,375
280 - 359¥3,068
360 +¥2,751

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
172-4616
メーカー型番:
FCH023N65S3L4
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

75A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

FCH

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

23mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

222nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

595W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

22.74mm

5.2 mm

長さ

15.8mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。

700 V @ TJ = 150 °C

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

超低ゲート電荷量(標準Qg = 78 nC)

低スイッチング損失

低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 715 pF)

低スイッチング損失

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

標準RDS(on) = 62 mΩ

ウェーブはんだ付け保証

コンピューティング

電気通信

産業用

テレコム / サーバー

ソーラーインバータ / UPS

EVC

関連ページ