onsemi パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 19 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, FCP165N65S3

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RS Stock No.:
178-4676
Mfr. Part No.:
FCP165N65S3
Brand:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SUPERFET III

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

165mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

154W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, Pb-Free, Halide Free

長さ

10.67mm

幅

4.7 mm

高さ

16.3mm

自動車規格

なし

COO (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)

Internal Gate Resistance: 4.6 Ω

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 140 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Consumer

Industrial

End Products:

Notebook / Desktop computer

Game Console

Telecom / Server

LCD / LED TV

LED Lighting / Ballast

Adapter

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