Toshiba Nチャンネル MOSFET600 V 11.5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 173-2857
- メーカー型番:
- TK12P60W,RVQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
1560 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は2000 個
￥407.611
(税抜)
￥448.372
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ￥407.611 | ￥815,222.00 |
| 4000 - 18000 | ￥351.67 | ￥703,340.00 |
| 20000 - 28000 | ￥295.729 | ￥591,458.00 |
| 30000 - 38000 | ￥239.788 | ￥479,576.00 |
| 40000 + | ￥183.847 | ￥367,694.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 173-2857
- メーカー型番:
- TK12P60W,RVQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、東芝
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 11.5 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| シリーズ | TK |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 340 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.7V |
| 最大パワー消費 | 100 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 6.1mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| 長さ | 6.6mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 2.3mm |
関連ページ
- Toshiba Nチャンネル MOSFET600 V 11.5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET600 V 7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 5.8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET600 V 9.7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 6.8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 11.1 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET250 V 7.5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET600 V 8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン