Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 400 V, 170 mA デプレッション型, 表面, 3-Pin パッケージTO-243

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計：*

￥242,352.00

(税抜)

￥266,588.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年2月03日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000￥121.176￥242,352
4000 - 18000￥118.756￥237,512
20000 - 28000￥116.382￥232,764
30000 - 38000￥114.054￥228,108
40000 +￥111.773￥223,546

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
177-2815
メーカー型番:
DN2540N8-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

170mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

400V

シリーズ

DN2540

パッケージ型式

TO-243

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

25Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大許容損失Pd

1.6W

順方向電圧 Vf

1.8V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

2.6 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.6mm

長さ

4.6mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
US
DN2540は、低しきい値デプレッションモード(通常オン)トランジスタで、高度な垂直型DMOS構造と実績あるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの定格入力と、MOSデバイスの高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型DMOS FETは、高降伏電圧、高入力インピーダンス、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング及びアンプ製品に最適です。

その他の特長:

高入力インピーダンス

低入力静電容量

高速なスイッチング速度

低オン抵抗

二次降伏なし低入出力漏洩

関連ページ