Vishay MOSFET, Pチャンネル, 50 A, 表面実装, 3 ピン, SQM50P03-07_GE3
- RS品番:
- 177-7493
- メーカー型番:
- SQM50P03-07_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 177-7493
- メーカー型番:
- SQM50P03-07_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 50 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| シリーズ | SQ Rugged | |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 11 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.5V | |
| 最大パワー消費 | 150 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 103.5 nC @ 10 V | |
| 幅 | 9.652mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 4.826mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 50 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
シリーズ SQ Rugged | ||
パッケージタイプ D2PAK (TO-263) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 11 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 1.5V | ||
最大パワー消費 150 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 103.5 nC @ 10 V | ||
幅 9.652mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 10.41mm | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 4.826mm | ||
- COO(原産国):
- TW
PチャンネルMOSFET、SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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