Vishay TrenchFET パワーMOSFET, タイプPチャンネル, シングル, 60 V, 120 A, 0.0067 Ω, 270 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

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RS品番:
180-7405
メーカー型番:
SQM120P06-07L_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

TrenchFET パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SQM

パッケージ型式

TO-263

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0067Ω

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.5V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

270nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

375W

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

175°C

高さ

0.19インチ

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

長さ

0.625インチ

幅

0.41インチ

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

AEC-Q101

Vishay


Vishay MOSFET は、 P チャンネル TO-263-3 パッケージに収められた新しいエージング製品で、ドレインソース電圧 60 V 、最大ゲートソース電圧 20 V を特長としています。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 6.7 mhm です。最大消費電力は 375 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 175 ° C

•パッケージは熱抵抗が低い

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•アダプタスイッチ

•負荷スイッチ

• ノートPC

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