Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 960 mA エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223

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RS品番:
177-7608
メーカー型番:
IRFL210TRPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

960mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

IRFL210

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

3.1W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.2nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

2V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.8mm

長さ

6.7mm

規格 / 承認

RoHS

3.7mm

自動車規格

なし

Vishay IRFL210シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧200 V、最大連続ドレイン電流960 mA - IRFL210TRPBF


このパワーMOSFETは、電子制御回路および電力変換回路のスイッチングおよび増幅用に設計された表面実装Nチャンネル強化装置です。高電圧性能と低電圧制御に適したゲートドライブ範囲を備えているため、コンパクトなSOT-223パッケージと適度な連続ドレイン性能を必要とする用途に適しています。

特長:


• 高電圧スイッチング機能を実現する200 V Vds
• 1.5Ω Rdsにより、負荷制御のための予測可能なオン抵抗を実現
• 960 mAの連続ドレイン電流により、適度な負荷をサポート
• 8.2 nCの標準ゲート充電により、低ドライブエネルギー要件を実現
• 20 Vの最大ゲートソース電圧により、標準的なゲートドライブマージンを実現
• 3. 1 Wの消費電力により、限られたアセンブリでの熱計画を実現

用途


• 中電圧電源およびコンバータに最適
• 小型オートメーションシステムのモーター駆動制御に最適
• 計装のスイッチモード調整に使用
• 制御パネルの負荷スイッチングに使用可能

信頼性を確保するために、どのような動作温度範囲を期待できますか?


このデバイスは、-55 °Cから最大150 °Cのジャンクション温度まで動作し、サーマル設計と持続的な使用のためのディレーティングに役立ちます。

パッケージに関連する熱制限をどのように考慮すべきですか?


最大消費電力: 3.1 W

熱管理は、この制限を超えないようにするために、プリント基板の銅面積と周囲条件を考慮する必要があります。

どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?


ゲート電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスを防止し、標準的なゲート電荷量は8.2 nCで、スイッチング速度に必要な駆動電流を決定します。

組み立てにおいて、どのような機械的フットプリントを考慮する必要がありますか?


このコンポーネントは、ピン数が4のSOT-223パッケージで提供され、はんだパッドレイアウトとリフロープロファイルに影響を与えます。

連続電流容量に制限はありますか?


連続ドレイン電流は960 mAで指定されているため、設計には突入および過渡状態のためのマージンを含める必要があります。

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