Microchip MOSFET, Nチャンネル, 350 mA, スルーホール, 3 ピン, TN0106N3-G

Microchip Technology のスルーホール実装 N チャンネル MOSFET は、ゲートソース電圧が 10 V のときに 3 Ω のドレインソース抵抗を備えた新製品です。ドレインソース電圧は 60 V 、最大ゲートソース電圧は 20 V です。連続ドレイン電流は 350 mA 、最大消費電力は 1 W です。 この MOSFET の最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、エンハンスメントモード（通常オフ）トランジスタで、垂直型 DMOS 構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS 構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。この垂直型 DMOS FET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

•並列化が容易
• 優れた熱安定性
•二次的な故障は発生しません
•高い入力インピーダンスと高ゲイン
•ソースドレインダイオード内蔵
•低 CISS と高速スイッチング
•低消費電力ドライブ要件
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

•アナログスイッチ
•バッテリ駆動システム
•汎用ラインドライバ
•ロジックレベルインターフェイス - TTL および CMOS に最適
• PV ドライブ
•ソリッドステートリレー
•通信スイッチ

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• JEDEC

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。