Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 350 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋1000個入り) 小計:*

¥92,367.00

(税抜)

¥101,604.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月02日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 4000¥92.367¥92,367
5000 - 9000¥90.516¥90,516
10000 - 24000¥85.692¥85,692
25000 - 49000¥83.276¥83,276
50000 +¥80.869¥80,869

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
264-8940
メーカー型番:
VN0106N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

350A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-92

シリーズ

VN0106

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

マイクロチップ社のPチャネル低しきい値強化モード(常時オフ)MOSFETは、縦型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、この製品はバイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。縦型DMOS FETは、低しきい値電圧、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングと増幅用途に最適です。

二次降伏がない

低消費電力

並列化が容易

低CISSと高速スイッチング

優れた熱安定性

ソース・ドレイン間の内蔵ダイオード

高入力インピーダンスと高ゲイン

関連ページ